Nové 4-pinové SiC MOSFETy od spoločnosti Toshiba...

partage un lien

2023-09-06 18:16:46

Nové 4-pinové SiC MOSFETy od spoločnosti Toshiba majú nižšie straty pri spínaní

WWW.ELEKTROLAB.EU

Nové 4-pinové SiC MOSFETy od spoločnosti Toshiba majú nižšie straty pri spínaní

Prvé nové komponenty v rade SiC MOSFETov spoločnosti Toshiba, ktoré používajú 4-pinové púzdro TO-247-4L(X), pozostávajú z 10tich nových komponentoví, 5 s napätím 650 V a 5 s napätím 1200 V.

0 Commentaires 0 parts 1145 Views