Nové 4-pinové SiC MOSFETy od spoločnosti Toshiba majú nižšie straty pri spínaní
Nové 4-pinové SiC MOSFETy od spoločnosti Toshiba majú nižšie straty pri spínaní
WWW.ELEKTROLAB.EU
Nové 4-pinové SiC MOSFETy od spoločnosti Toshiba majú nižšie straty pri spínaní
Prvé nové komponenty v rade SiC MOSFETov spoločnosti Toshiba, ktoré používajú 4-pinové púzdro TO-247-4L(X), pozostávajú z 10tich nových komponentoví, 5 s napätím 650 V a 5 s napätím 1200 V.
Like
1
0 Komentárov 0 Zdieľania 1143 Zobrazení